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FP35R12W2T4	文件：537.12 Kbytes Page：12 Pages	EasyPIM??module with fast Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
FP35R12W2T4	文件：1.07713 Mbytes Page：12 Pages	EasyPIM Modul mit schnellem Trench	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
FP35R12W2T4P	文件：799.68 Kbytes Page：12 Pages	EasyPIM™ module with fast Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC / pre-applied Thermal Interface Material ElectricalFeatures •Lowswitchinglosses •LowVCEsat •TrenchIGBT4 •VCEsatwithpositivetemperaturecoefficient MechanicalFeatures •Al2O3substratewithlowthermalresistance •Compactdesign •Soldercontacttechnology •Ruggedmountingduetointegratedmounting clamps •Pre-	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
FP35R12W2T4_13	文件：1.07713 Mbytes Page：12 Pages	EasyPIM Modul mit schnellem Trench	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
FP35R12W2T4_B11	文件：461.31 Kbytes Page：11 Pages	EasyPIM2B module PressFIT with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 Diode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
FP35R12W2T4_B11	文件：700.65 Kbytes Page：11 Pages	EasyPIM2B Modul PressFIT mit Trench	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
FP35R12W2T4_B11_13	文件：700.65 Kbytes Page：11 Pages	EasyPIM2B Modul PressFIT mit Trench	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
FP35R12W2T4P_B11	文件：814.93 Kbytes Page：12 Pages	EasyPIM Modul mit Trench	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
FP35R12W2T4BOMA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：模块类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MOD 1200V 54A 215W	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
FP35R12W2T4PB11BPSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：模块类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MOD 1200V 70A 20MW	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
FP35R12W2T4PBPSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：模块类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MOD 1200V 70A 20MW	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

详细参数

型号：
FP35R12W2T4
功能描述：
IGBT 模块 IGBT-MODULE
RoHS：
否
制造商：
Infineon Technologies
产品：
IGBT Silicon Modules
配置：
Dual 集电极—发射极最大电压
VCEO：
600 V
集电极—射极饱和电压：
1.95 V 在25
C的连续集电极电流：
230 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
445 W
最大工作温度：
+ 125 C
封装/箱体：
34MM

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