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FP10R12W1T4_B3_IRF/英飞凌_IGBT 模块 IGBT 1200V 10A浩睿泽电子
- 详细信息
- 规格书下载
产品属性
- 类型
描述
- 型号:
FP10R12W1T4_B3
- 功能描述:
IGBT 模块 IGBT 1200V 10A
- RoHS:
否
- 制造商:
Infineon Technologies
- 产品:
IGBT Silicon Modules
- 配置:
Dual 集电极—发射极最大电压
- VCEO:
600 V
- 集电极—射极饱和电压:
1.95 V 在25
- C的连续集电极电流:
230 A
- 栅极—射极漏泄电流:
400 nA
- 功率耗散:
445 W
- 最大工作温度:
+ 125 C
- 封装/箱体:
34MM
供应商
- 企业:
深圳市浩睿泽电子科技有限公司
- 商铺:
- 联系人:
罗 浩
- 手机:
19854773352
- 询价:
- 电话:
14789300331
- 地址:
深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F19
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