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H05N60	文件：60.77 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerFieldEffectTransistor Description ThisadvancedhighvoltageMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalanchemodeandswitchefficiently.Thisnewhighenergydevicealsooffersadrain-to-sourcediodewithfastrecoverytime.Designedforhighvoltage,highspeedswitchingapplicationssuchaspowersupl	HSMC 华昕	HSMC
H05N60E	文件：60.77 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerFieldEffectTransistor Description ThisadvancedhighvoltageMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalanchemodeandswitchefficiently.Thisnewhighenergydevicealsooffersadrain-to-sourcediodewithfastrecoverytime.Designedforhighvoltage,highspeedswitchingapplicationssuchaspowersupl	HSMC 华昕	HSMC
H05N60F	文件：60.77 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerFieldEffectTransistor Description ThisadvancedhighvoltageMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalanchemodeandswitchefficiently.Thisnewhighenergydevicealsooffersadrain-to-sourcediodewithfastrecoverytime.Designedforhighvoltage,highspeedswitchingapplicationssuchaspowersupl	HSMC 华昕	HSMC
MCU05N60	文件：494.92 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
MCU05N60A	文件：454.92 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
MCU05N60A	文件：339.84 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MGS05N60D	文件：138.73 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor InsulatedGateBipolarTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisIGBTcontainsabuilt–infreewheelingdiodeandagateprotectionzener.Fastswitchingcharacteristicsresultinefficientoperationathigherfrequencies. •Built–InFreeWheelingDiode •Built–InGateProtection	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MGS05N60D	文件：135.89 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor InsulatedGateBipolarTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisIGBTcontainsabuilt–infreewheelingdiodeandagateprotectionzener.Fastswitchingcharacteristicsresultinefficientoperationathigherfrequencies. •Built–InFreeWheelingDiode •Built–InGateProtecti	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MMG05N60D	文件：138.49 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMG05N60D	文件：135.03 Kbytes Page：6 Pages	POWERLUXIGBT ThisIGBTcontainsabuilt–infreewheelingdiodeandagateprotectionzener.Fastswitchingcharacteristicsresultinefficientoperationathigherfrequencies. •Built–InFreeWheelingDiode •Built–InGateProtectionZenerDiode •IndustryStandardPackage(SOT223) •HighSpeedEoff:Typic	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
SSD05N60J	文件：284.47 Kbytes Page：3 Pages	N-ChEnhancementModePowerMOSFET	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS

详细参数

型号：
FMI05N60E
制造商：
FUJI
制造商全称：
Fuji Electric
功能描述：
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市百视威讯电子科技有限公司	FMI05N60E		23+	N/A	59210	正品授权货源可靠	询价
深圳兆威电子有限公司	FMI05N60E	FUJITSU/富士通	23+	T-PACK(L)	90000	只做原厂渠道价格优势可提供技术支持	询价
深圳市国宇半导体科技有限公司	FMI05N60E	F	23+	T-PACK(L)	10000	公司只做原装正品	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	FMI05N60E	F	22+	T-PACK(L)	6000	十年配单,只做原装	询价
深圳市赛美科科技有限公司	FMI05N60E	FUJI		原厂封装	1000	一级代理原装正品假一罚十价格优势长期供货	询价
无锡固电半导体股份有限公司	FMI05N60E	isc	2024	I2PAK/TO-262	1500	国产品牌isc,可替代原装	询价
深圳市创新迹电子有限公司	FMI05N60E	F	22+	T-PACK(L)	25000	只做原装进口现货,专注配单	询价
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更多FMI05N60E供应商更新时间2024-5-16 11:36:00

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