FJV3115R中文资料PDF规格书
厂商型号 |
FJV3115R |
参数属性 | FJV3115R 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 |
功能描述 | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
文件大小 |
55.85 Kbytes |
页面数量 |
4 页 |
生产厂商 | Fairchild Semiconductor |
企业简称 |
Fairchild【仙童半导体】 |
中文名称 | 飞兆/仙童半导体公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-5-31 23:00:00 |
FJV3115R规格书详情
Switching Application (Bias Resistor Built In)
• Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit
• Built in bias Resistor (R1=2.2KΩ, R2=10KΩ)
产品属性
- 产品编号:
FJV3115RMTF
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
NPN - 预偏压
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
33 @ 10mA,5V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
300mV @ 500µA,10mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:
SOT-23-3
- 描述:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
23+ |
SOT23(TO236) |
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