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FJV3112R中文资料PDF规格书

FJV3112R
厂商型号

FJV3112R

参数属性

FJV3112R 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

功能描述

NPN Epitaxial Silicon Transistor

文件大小

46.12 Kbytes

页面数量

3

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

Fairchild仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-31 11:30:00

FJV3112R规格书详情

Switching Application (Bias Resistor Built In)

• Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit

• Built in bias Resistor (R=47KΩ)

• Complement to FJV4112R

产品属性

  • 产品编号:

    FJV3112RMTF

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN - 预偏压

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 1mA,5V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 1mA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3

  • 描述:

    TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
23+
SOT-23
50000
原装正品 支持实单
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2008++
SOT-23
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