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FJD5555TM	文件：170.58 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconTransistor HighVoltageSwitchModeApplication •FastSpeedSwitching •WideSafeOperatingArea •SuitableforElectronicBallastApplication	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FJP5555	文件：741.79 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FJP5555	文件：66.98 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageSwitchModeApplication	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FJP5555	文件：226.89 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FJP5555TU	文件：741.79 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FJP5555TU	文件：226.89 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FJPF5555	文件：71.37 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageSwitchModeApplication	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
LC5555LD	文件：267.31 Kbytes Page：11 Pages	Single-StagePowerFactorCorrectedHighEfficiencyNon-IsolatedBuckLEDDriver	SankenSanken Electric Co Ltd. 三垦日本三垦	Sanken
LTC5555	文件：3.58426 Mbytes Page：26 Pages	1.5GHzto7GHzProgrammableGainDownconvertingMixer	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
LTC5555IUFD#PBF	文件：3.58426 Mbytes Page：26 Pages	1.5GHzto7GHzProgrammableGainDownconvertingMixer	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
LTC5555IUFD#PBF	文件：3.58426 Mbytes Page：26 Pages	1.5GHzto7GHzProgrammableGainDownconvertingMixer	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
MJE5555	文件：446.37 Kbytes Page：2 Pages	TRIPLEDIFFUSEDNPNTRANSISTOR SWITCHINGREGULATORAPPLICATION. HIGHVOLTAGESWITCHINGAPPLICATION. HIGHSPEEDDC-DCCONVERTERAPPLICATION. FLUORESCENTLIGHTBALLASTORAPPLICATION. FEATURES •ExcellentSwitchingTimes :tstg=2.5S(Max.),tf=0.3S(Max.),atIC=2.5A •HighCollectorVoltage:VCBO=1050V.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
SDA5555	文件：62.07 Kbytes Page：2 Pages	TVTextPro	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
T5555	文件：5.98887 Mbytes Page：294 Pages	HighPerformance,LowPowerAtmelAVR8-bitMicrocontrollerAdvancedRISCArchitecture	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
UPD5555	文件：280.85 Kbytes Page：8 Pages	MOSINTEGRATEDCIRCUIT SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
UPD5555	文件：407.55 Kbytes Page：16 Pages	MOSINTEGRATEDCIRCUIT CMOSTIMERCIRCUIT	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPD5555C	文件：280.85 Kbytes Page：8 Pages	MOSINTEGRATEDCIRCUIT SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
UT5555	文件：506.52 Kbytes Page：2 Pages	Highheatpumpdensity	LSTD Laird Tech Smart Technology	LSTD
XP5555	文件：37.01 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNepitaxialplanertransistor SiliconNPNepitaxialplanertransistor Forhighspeedswitching ■Features ●Twoelementsincorporatedintoonepackage. ●Reductionofthemountingareaandassemblycostbyonehalf.	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic

详细参数

型号：
FJB5555
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN Silicon Transistor
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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