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FJP3307DTU	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-220-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 400V 8A TO220-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FUSB3307	文件：616.99 Kbytes Page：21 Pages	USBPowerDelivery3.0AdaptiveSourceChargingController	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FUSB3307MPX-PPS-GEVB	文件：5.68302 Mbytes Page：24 Pages	USBType-CSourceControllerSupportingUSBPowerDelivery3.0w/PPSanda4-SwitchBuckBoostControllerEvaluationBoard	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FUSB3307MX-PPS-GEVB	文件：5.68302 Mbytes Page：24 Pages	USBType-CSourceControllerSupportingUSBPowerDelivery3.0w/PPSanda4-SwitchBuckBoostControllerEvaluationBoard	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
HM3307	文件：1.13935 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhaModeMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM3307A	文件：708.59 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM3307B	文件：1.22315 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
IIRFB3307	文件：338.34 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IIRFB3307Z	文件：339.08 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFB3307	文件：412.48 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA •EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability Applications •HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS •UninterruptiblePowerSupply •HighSpeed	IRF International Rectifier	IRF
IRFB3307	文件：338.34 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFB3307PBF	文件：362.47 Kbytes Page：12 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFB3307Z	文件：339.08 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFB3307ZGPBF	文件：291.45 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFB3307ZPBF	文件：835.99 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ●EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability Applications ●HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ●UninterruptiblePowerSupply ●HighSpeedPowerSwitching	IRF International Rectifier	IRF
IRFS3307	文件：412.48 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA •EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability Applications •HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS •UninterruptiblePowerSupply •HighSpeed	IRF International Rectifier	IRF
IRFS3307PBF	文件：320.36 Kbytes Page：11 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFS3307PBF	文件：320.36 Kbytes Page：11 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFS3307ZPBF	文件：321.72 Kbytes Page：11 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFS3307ZPBF	文件：835.99 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ●EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability Applications ●HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ●UninterruptiblePowerSupply ●HighSpeedPowerSwitching	IRF International Rectifier	IRF

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产品属性

产品编号：
FJP3307DTU
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 2A，8A
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
5 @ 5A，5V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220-3
描述：
TRANS NPN 400V 8A TO220-3

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更多FJP3307DTU供应商更新时间2024-9-20 23:25:00

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