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FGA50N100BNTD中文资料PDF规格书

FGA50N100BNTD
厂商型号

FGA50N100BNTD

参数属性

FGA50N100BNTD 封装/外壳为TO-3P-3,SC-65-3;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 1000V 50A 156W TO3P

功能描述

1000V, 50A NPT-Trench IGBT CO-PAK

文件大小

710.03 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

Fairchild仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-29 20:20:00

产品属性

  • 产品编号:

    FGA50N100BNTDTU

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    NPT 和沟道

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.9V @ 15V,60A

  • 输入类型:

    标准

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-3P-3,SC-65-3

  • 供应商器件封装:

    TO-3P

  • 描述:

    IGBT 1000V 50A 156W TO3P

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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