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FGA25S125P中文资料PDF规格书

FGA25S125P
厂商型号

FGA25S125P

参数属性

FGA25S125P 封装/外壳为TO-3P-3,SC-65-3;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 1250V 50A 250W TO-3PN

功能描述

Shorted AnodeTM IGBT

文件大小

690.72 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

Fairchild仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-29 20:20:00

FGA25S125P规格书详情

General Description

Using advanced Field Stop Trench and Shorted Anode technology, Fairchild’s Shorted AnodeTM Trench IGBTs offer superior conduction and switching performances, and easy

parallel operation with exceptional avalanche capability . This device is desingned for induction heating and microwave oven.

Features

• High speed switching

• Low saturation voltage: VCE(sat) =1.8V @ IC = 25A

• High input impedance

• RoHS compliant

Applications

• Induction Heating and Microwave Oven

• Soft Switching Applications

产品属性

  • 产品编号:

    FGA25S125P

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.35V @ 15V,25A

  • 输入类型:

    标准

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-3P-3,SC-65-3

  • 供应商器件封装:

    TO-3PN

  • 描述:

    IGBT 1250V 50A 250W TO-3PN

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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