FGA25N120ANTDTU 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 ONSEMI/安森美半导体

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1+	0.088

厂家型号：
FGA25N120ANTDTU
产品分类：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
生产厂商：
ONSEMI/安森美半导体
库存数量：
30000
产品封装：
TO-3P-3,SC-65-3
生产批号：
23+
库存类型：
热卖库存
更新时间：
2024-4-28 15:09:00

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详细信息
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原厂料号：FGA25N120ANTDTU品牌：onsemi

晶体管-分立半导体产品-原装正品

FGA25N120ANTDTU是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商onsemi生产封装TO-3P-3,SC-65-3/TO-3P-3，SC-65-3的FGA25N120ANTDTU晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

芯片型号：
FGA25N120ANTDTU
规格书：
下载下载2
企业简称：
ONSEMI【安森美半导体】详情
厂商全称：
ON Semiconductor
中文名称：
安森美半导体公司
内容页数：
9 页
文件大小：
1388.61 kb
资料说明：
1200 V, 25 A NPT Trench IGBT

产品属性

类型
描述
产品编号：
FGA25N120ANTDTU
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
IGBT 类型：
NPT 和沟道
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.65V @ 15V，50A
开关能量：
4.1mJ（开），960µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
50ns/190ns
测试条件：
600V，25A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装：
TO-3P
描述：
IGBT NPT/TRENCH 1200V 50A TO3P

供应商

企业：
中天科工半导体（深圳）有限公司
商铺：
进入商铺
联系人：
李先生
手机：
13128990370
询价：
电话：
13128990370免费服务热线-6
传真：
原装正品
地址：
深圳市福田区赛格广场54层5406-5406B

FGA25N120ANTDTU 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 ONSEMI/安森美半导体

FGA25N120ANTDTU

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