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- 厂家型号：
FGA180N33ATDTU
- 产品分类：
芯片
- 生产厂商：
- 库存数量：
4500
- 产品封装：
TO-3P
- 生产批号：
新批次
- 库存类型：
- 更新时间：
2024-5-13 16:29:00
首页>FGA180N33ATDTU>芯片详情
FGA180N33ATDTU_ONSEMI/安森美半导体_IGBT 晶体管 330V 180A PDP Trench浩睿泽电子
- 详细信息
- 规格书下载
产品属性
- 类型
描述
- 型号：
FGA180N33ATDTU
- 功能描述：
IGBT 晶体管 330V 180A PDP Trench
- RoHS：
否
- 制造商：
Fairchild Semiconductor
- 配置：
集电极—发射极最大电压
- VCEO：
650 V
- 集电极—射极饱和电压：
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
- C的连续集电极电流：
150 A
- 栅极—射极漏泄电流：
400 nA
- 功率耗散：
187 W
- 封装/箱体：
TO-247
- 封装：
Tube
供应商
- 企业：
深圳市浩睿泽电子科技有限公司
- 商铺：
- 联系人：
罗 浩
- 手机：
19854773352
- 询价：
- 电话：
14789300331
- 地址：
深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F19
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