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HM254	文件：1.39218 Mbytes Page：10 Pages	Solidstateswitch	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HPH-254X-XX	文件：32.119 Kbytes Page：1 Pages	HIGHPROFILEPINHEADER	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
HV254	文件：276.75 Kbytes Page：7 Pages	32-ChannelHighVoltageAmplifierArray	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
HV254FG	文件：276.75 Kbytes Page：7 Pages	32-ChannelHighVoltageAmplifierArray	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
HV254FG-G	文件：692.72 Kbytes Page：10 Pages	32-ChannelHighVoltageAmplifierArray	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
ICX254AK	文件：197.17 Kbytes Page：18 Pages	Diagonal6mm(Type1/3)CCDImageSensorforNTSCColorVideoCameras Description TheICX254AKisaninterlineCCDsolid-stateimagesensorsuitableforNTSCcolorvideocameraswithadiagonal6mm(Type1/3)system.ComparedwiththecurrentproductICX054BK,basiccharacteristicssuchassensitivity,smear,dynamicrangeandS/Nareimproveddrasticallythrought	SonySONY 索尼	Sony
ICX254AL	文件：185.77 Kbytes Page：17 Pages	Diagonal6mm(Type1/3)CCDImageSensorforEIAB/WVideoCameras Description TheICX254ALisaninterlineCCDsolid-stateimagesensorsuitableforEIAB/Wvideocameraswithadiagonal6mm(Type1/3)system.ComparedwiththecurrentproductICX054BL,basiccharacteristicssuchassensitivity,smear,dynamicrangeandS/Nareimproveddrasticallyfromvisible	SonySONY 索尼	Sony
INA254	文件：950.61 Kbytes Page：21 Pages	INA254,80V,High-Voltage,짹50AIntegratedPrecisionShunt,Bidirectional,Zero-DriftCurrent-ShuntMonitor	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
INA254	文件：1.57175 Mbytes Page：30 Pages	INA25480-V,High-Voltage,±75-AIntegratedPrecisionShunt,Bidirectional,Zero-DriftCurrent-ShuntMonitor 1Features •Precisionintegrated400-μΩshuntresistor –Continuous±75Aat25°C –Continuous±50Afrom–40°Cto+85°C –Shuntresistortolerance:0.5(maximum) –Lowdrift:10ppm/°C(0°Cto125°C) –Lowinductance:2nH •Highaccuracy –Systemgainerror:0.5(maximum) –Systemgain	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
IRF254	文件：182.31 Kbytes Page：2 Pages	Avalanche-Energy-RatedN-ChannelPowerMOSFETs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF254	文件：48.37 Kbytes Page：2 Pages	NanosecondSwitchingSpeed	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF254	文件：49.56 Kbytes Page：1 Pages	HighVoltagePowerMOSFETDieN-ChannelEnhancementModeHighRuggednessSeries FEATURES: •Fastswitchingtimes •LowRDS(on)HDMOS™process •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Excellenthighvoltagestability •Lowinputcapacitance •Improvedhightemperaturereliability APPLICATIONS: •Switchingpowersupplies •Motorcontrols •AudioAmplifiers •Invert	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IRFM254	文件：93.65 Kbytes Page：1 Pages	PulsewidthlimitedbyMaximumJunctionTemperature	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRFP254	文件：621.78 Kbytes Page：2 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET TheTO-247packageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelsprecludetheuseofTO-220devices.TheTO-247issimilarbutsuperiortotheearlierTO-218packagebecauseofitsisolatedmoutinghole.Italsoprovidesgreatercreepagedistancebetweenpinstomee	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRFP254	文件：67.81 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications. FEATURES •DrainCurrent–ID=23A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=250V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.14Ω(Max) •FastSwitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP254	文件：1.53406 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFP254	文件：49.56 Kbytes Page：1 Pages	HighVoltagePowerMOSFETDieN-ChannelEnhancementModeHighRuggednessSeries FEATURES: •Fastswitchingtimes •LowRDS(on)HDMOS™process •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Excellenthighvoltagestability •Lowinputcapacitance •Improvedhightemperaturereliability APPLICATIONS: •Switchingpowersupplies •Motorcontrols •AudioAmplifiers •Invert	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IRFP254	文件：46.91 Kbytes Page：2 Pages	StandardPowerMOSFET-N-ChannelEnhancementMode StandardPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode Features •Internationalstandardpackage JEDECTO-247AD •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Highcommutatingdv/dtrating •Fastswitchingtimes Applications •Switch-modeandresonant-mode po	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IRFP254	文件：1.37117 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247ACpackageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelspreclude	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFP254	文件：162.48 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=250V,Rds(on)=0.14ohm,Id=23A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •IsolatedCentralMountingHole •FastS	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

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更多FDW254P_NL供应商更新时间2024-6-5 17:54:00

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