FDP047AN08A0 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个 ONSEMI/安森美半导体

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1+	面议

厂家型号：
FDP047AN08A0
产品分类：
芯片
生产厂商：
ONSEMI/安森美半导体
库存数量：
8357
产品封装：
TO-220
生产批号：
23+
库存类型：
优势库存
更新时间：
2024-5-8 20:30:00

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详细信息
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原厂料号：FDP047AN08A0品牌：onsemi(安森美)

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FDP047AN08A0是分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个。制造商onsemi(安森美)/onsemi生产封装TO-220/TO-220-3的FDP047AN08A0晶体管 - FET，MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

芯片型号：
FDP047AN08A0
规格书：
下载
企业简称：
FAIRCHILD【仙童半导体】详情
厂商全称：
Fairchild Semiconductor
中文名称：
飞兆/仙童半导体公司
内容页数：
10 页
文件大小：
606.43 kb
资料说明：
N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 80A, 4.7m?

产品属性

类型
描述
产品编号：
FDP047AN08A0-F102
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
FET 类型：
N 通道
技术：
MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
15A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
6V，10V
Vgs（最大值）：
±20V
功率耗散（最大值）：
310W（Tc）
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
供应商器件封装：
TO-220-3
封装/外壳：
TO-220-3
描述：
MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3

供应商

企业：
深圳市高捷芯城科技有限公司
商铺：
进入商铺
联系人：
杨浩鑫
手机：
13352985419
询价：
电话：
0755-83061789
传真：
0755-82539558
地址：
深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦10B

FDP047AN08A0 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个 ONSEMI/安森美半导体

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