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G20N60HS	文件：426.22 Kbytes Page：11 Pages	HighSpeedIGBTinNPT-technology HighSpeedIGBTinNPT-technology •30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedforoperationabove30kHz •NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -parallelswitchingcapability -moderateEoffincreasewithtemperature -	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
HIA20N60BP	文件：664.05 Kbytes Page：7 Pages	600VPTIGBT	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HIH20N60BP	文件：644.27 Kbytes Page：7 Pages	600VPTIGBT	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HM20N60	文件：817.51 Kbytes Page：10 Pages	thesiliconN-channelEnhancedVDMOSFETs	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM20N60A	文件：532.49 Kbytes Page：10 Pages	thesiliconN-channelEnhancedVDMOSFETs	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM20N60F	文件：919.87 Kbytes Page：10 Pages	thesiliconN-channelEnhancedVDMOSFETs	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HMG20N60A	文件：633.94 Kbytes Page：5 Pages	20A,600Vinsulatedgatebipolartransistor	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
IKB20N60T	文件：703.05 Kbytes Page：13 Pages	IGBTinTRENCHSTOPandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledHEdiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKB20N60T	文件：435.11 Kbytes Page：15 Pages	IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode LowLossDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode •VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) •MaximumJunctionTemperature175°C •Shortcircuitwithstandtime–5µs •Designedfor: -FrequencyConverters -UninterruptedPowerS	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKB20N60TA	文件：2.48742 Mbytes Page：16 Pages	600Vlowlossswitchingseriesthirdgeneration	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKP20N60T	文件：746.77 Kbytes Page：14 Pages	IGBTinTrenchStop짰andFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledHEdiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKP20N60T	文件：505.48 Kbytes Page：13 Pages	IGBTinTRENCHSTOPandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledHEdiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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IKP20N60T	文件：454.76 Kbytes Page：14 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTrenchStopandFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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IKP20N60TA	文件：2.62618 Mbytes Page：16 Pages	600Vlowlossswitchingseriesthirdgeneration	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKW20N60T	文件：454.76 Kbytes Page：14 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTrenchStopandFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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IKW20N60T	文件：507.88 Kbytes Page：13 Pages	IGBTinTRENCHSTOPandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledHEdiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

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详细参数

型号：
FCPF20N60FS
功能描述：
MOSFET 600V NH MOSFET FRFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市莱克讯科技有限公司	FCPF20N60FS	FSC	2017+	TO220F	21546	深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票	询价
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