FCB20N60F数据表ic资料批发供应无锡固电ISC-114ic电子网

首页 >FCB20N60F>规格书列表

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业	LOGO
FCB20N60F	文件：862 Kbytes Page：8 Pages	600V N-CHANNEL FRFET Description SuperFETTMis,Farichild’sproprietary,newgenerationofhighvoltageMOSFETfamilythatisutilizinganadvancedchargebalancemechanismforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance. Thisadvancedtechnologyhasbeentailoredtominimizeconductionloss,	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FCB20N60F	文件：332.87 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.19Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FCB20N60FTM	文件：862 Kbytes Page：8 Pages	600V N-CHANNEL FRFET Description SuperFETTMis,Farichild’sproprietary,newgenerationofhighvoltageMOSFETfamilythatisutilizinganadvancedchargebalancemechanismforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance. Thisadvancedtechnologyhasbeentailoredtominimizeconductionloss,	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FCB20N60FTM	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FCB20N60F_12	文件：341.81 Kbytes Page：6 Pages	600V N-Channe MOSFET 600V, 20A, 190m廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
20N60	文件：176.25 Kbytes Page：3 Pages	20A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET ■DESCRIPTION TheUTC20N60isanN-channelenhancementmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyisspecializedinallowingaminimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstand	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
20N60	文件：95.42 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
20N60	文件：1.15549 Mbytes Page：11 Pages	N-Channel650-V(D-S)SuperJunctionMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
20N60A	文件：833.85 Kbytes Page：6 Pages	20A600VN-channelenhancedfieldeffecttransistor	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
20N60B	文件：114.65 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFASTIGBT VCES=600V IC25=40A VCE(sat)typ=1.7V tfi(typ)=100ns Features •InternationalstandardpackagesJEDECTO-268surfacemountableandJEDECTO-247AD •Highcurrenthandlingcapability •LatestgenerationHDMOSTMprocess •MOSGateturn-on -drivesimplicity	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
20N60CFD	文件：50.2 Kbytes Page：1 Pages	HITACHIEncapsulation,DIP16	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
20N60CFD	文件：471.68 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOSPowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
20N60CFD	文件：654.59 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOSTMPowerTransistorFeaturesNewrevolutionaryhighvoltagetechnologyExtremedv/dtrated	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
20N60CFD	文件：293.38 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOSPowerTransistor Features •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Intrinsicfast-recoverybodydiode •Extremelylowreverserecoverycharge •Ultralowgatecharge •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •Periodicavalancherated •Qualifiedforindustrialgradeapplicationsaccording	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
AFGB20N60SFD	文件：166.78 Kbytes Page：9 Pages	Usingnovelfield−stopIGBTtechnology Features •HighCurrentCapability •LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.2V@IC=20A •HighInputImpedance •FastSwitching •AEC−Q101QualifiedtoAutomotiveRequirements •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
AFGB20N60SFD-BW	文件：166.78 Kbytes Page：9 Pages	Usingnovelfield−stopIGBTtechnology Features •HighCurrentCapability •LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.2V@IC=20A •HighInputImpedance •FastSwitching •AEC−Q101QualifiedtoAutomotiveRequirements •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
AIKB20N60CT	文件：2.00644 Mbytes Page：16 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTRENCHSTOPTMandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-paralleldiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
AIKP20N60CT	文件：2.14166 Mbytes Page：16 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTRENCHSTOPTMandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlleddiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
AIKW20N60CT	文件：1.96813 Mbytes Page：16 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTRENCHSTOPTMandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryantiparallelEmitterControlleddiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
AOK20N60	文件：450.77 Kbytes Page：5 Pages	600V,20AN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD

12 3 4 5 6 >>>

详细参数

型号：
FCB20N60F
制造商：
FAIRCHILD
制造商全称：
Fairchild Semiconductor
功能描述：
600V N-CHANNEL FRFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市亿智腾科技有限公司	FCB20N60F	FAIRCHILD/仙童	2021+	TO263	3580	原装现货/15年行业经验欢迎询价	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	FCB20N60F	FAIRCHILD	23+	TO-2632L(D2PAK)	12300	全新原装真实库存含13点增值税票!	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	FCB20N60F	onsemi(安森美)	23+	-	7793	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
深圳市博浩通科技有限公司	FCB20N60F	FAIRCHILD	23+	原厂原装	13188	全新原装	询价
深圳市一线半导体有限公司	FCB20N60F	FAIRCHILD	08+(pbfree)	TO-263(D2PAK)	8866		询价
深圳市永贝尔科技有限公司	FCB20N60F	FAIRCHILD	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
深圳中芯器材有限公司	FCB20N60F	fsc	dc13	原厂封装	800	INSTOCK:800/tr/dpak	询价
深圳市华来深电子有限公司	FCB20N60F	FSC	23+	TO-263	8560	受权代理!全新原装现货特价热卖!	询价
深圳市华斯顿科技有限公司	FCB20N60F	FAIRCHILD	22+23+	TO263	12703	绝对原装正品全新进口深圳现货	询价
深圳市宇集芯电子有限公司	FCB20N60F	FAIRCHIL	24+	TO-263	90000	一级代理商进口原装现货、价格合理	询价

更多FCB20N60F供应商更新时间2024-6-14 13:36:00

详细参数

相关规格书

相关库存