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AUIRF3805S-7P	文件：311.87 Kbytes Page：14 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET V(BR)DSS55V RDS(on)typ.2.0mΩ max.2.6mΩ ID240A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdes	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
AUIRF3805S-7P	文件：311.87 Kbytes Page：14 Pages	UltraLowOn-Resistance	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
AUIRF3805S-7P	文件：748.76 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
AUIRF3805S-7PTRL	文件：311.87 Kbytes Page：14 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET V(BR)DSS55V RDS(on)typ.2.0mΩ max.2.6mΩ ID240A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdes	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
AUIRF3805S-7PTRR	文件：311.87 Kbytes Page：14 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET V(BR)DSS55V RDS(on)typ.2.0mΩ max.2.6mΩ ID240A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdes	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF3805S-7P	文件：638.02 Kbytes Page：10 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET VDSS=55V RDS(on)=2.6mΩ ID=160A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionope	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF3805S-7PPBF	文件：303.03 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET VDSS=55V RDS(on)=2.6mΩ ID=160A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionope	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

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