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AUIRF3805S-7P	文件：311.87 Kbytes Page：14 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET V(BR)DSS55V RDS(on)typ.2.0mΩ max.2.6mΩ ID240A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdes	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
AUIRF3805S-7P	文件：311.87 Kbytes Page：14 Pages	Ultra Low On-Resistance	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
AUIRF3805S-7P	文件：748.76 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
AUIRF3805S-7PTRL	文件：311.87 Kbytes Page：14 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET V(BR)DSS55V RDS(on)typ.2.0mΩ max.2.6mΩ ID240A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdes	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
AUIRF3805S-7PTRR	文件：311.87 Kbytes Page：14 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET V(BR)DSS55V RDS(on)typ.2.0mΩ max.2.6mΩ ID240A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdes	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF3805S-7P	文件：638.02 Kbytes Page：10 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET VDSS=55V RDS(on)=2.6mΩ ID=160A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionope	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF3805S-7PPBF	文件：303.03 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET VDSS=55V RDS(on)=2.6mΩ ID=160A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionope	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

详细参数

型号：
AUIRF3805S-7P
功能描述：
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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