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AUIRFU4105Z	文件：726.28 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEGRADE Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimpro	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
AUIRFU4105Z	文件：4.67522 Mbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEGRADE Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thiMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitive	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
C4105A	文件：73.96 Kbytes Page：1 Pages	7C227/30TCPVCPVCCOMMUNICATIONCABLE	GENERALGeneral Electric 通用电气公司美国通用电气公司	GENERAL
CD4105	文件：113.86 Kbytes Page：2 Pages	ZENERDIODECHIPS •1N4099THRU1N4135AVAILABLEINJANHCANDJANKCPERMIL-PRF-19500/435 •ZENERDIODECHIPS •ALLJUNCTIONSCOMPLETELYPROTECTEDWITHSILICONDIOXIDE •0.5WATTCAPABILITYWITHPROPERHEATSINKING •ELECTRICALLYEQUIVALENTTO1N4099THRU1N4135 •COMPATIBLEWITHALLWIREBONDINGANDDIEATTAC	CDI-DIODE Compensated Deuices Incorporated	CDI-DIODE
CDLL4105	文件：96.51 Kbytes Page：2 Pages	LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •1N4099UR-1THRU1N4135UR-1AVAILABLEINJAN,JANTX,JANTXVANDJANSPERMIL-PRF-19500/435 •LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •LOWCURRENTOPERATIONAT250µA •METALLURGICALLYBONDED •DOUBLEPLUGCONSTRUCTION	CDI-DIODE Compensated Deuices Incorporated	CDI-DIODE
CHA4105-QDG	文件：537.07 Kbytes Page：12 Pages	2-4GHzDriver	UMSUnited Monolithic Semiconductors United Monolithic Semiconductors	UMS
CLL4105	文件：307.74 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTLOWNOISESILICONZENERDIODES6.8VOLTSTHRU47VOLTS500mW,5TOLERANCE	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CLL4105	文件：109.37 Kbytes Page：2 Pages	LOWNOISEZENERDIODE6.8VOLTSTHRU47VOLTS500mW,5TOLERANCE DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCLL4099SeriestypesarehighqualitySiliconZenerDiodesdesignedforlowleakage,lowcurrentandlownoiseapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMHZ4105	文件：56.93 Kbytes Page：2 Pages	LOWNOISEZENERDIODE6.8VOLTSTHRU47VOLTS500mW,5TOLERANCE DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMHZ4099SeriestypesarehighqualitySiliconZenerDiodesdesignedforlowleakage,lowcurrentandlownoiseapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
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CMPZ4105	文件：186.04 Kbytes Page：2 Pages	LOWNOISEZENERDIODE6.8VOLTSTHRU43VOLTS350mW,5TOLERANCE DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMPZ4099Seriestypesarehighqualitysiliconzenerdiodesdesignedforlowleakage,lowcurrentandlownoiseapplications. NOTE:Forlowervoltagedevices,seeCMPZ4614Series.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
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DL4105	文件：399.58 Kbytes Page：5 Pages	500mWSiliconZenerDiodes	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
DM4105	文件：392.45 Kbytes Page：6 Pages	4쩍-Digit,DifferentialLCDDisplaywithDataOutputs	MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd. 村田村田制作所	MuRata
DM-4105	文件：585.53 Kbytes Page：14 Pages	RangeChangeKit ForDM-3000andDM-4000SeriesPanelMeters PANELMETERRANGECHANGEKIT PURPOSE ThiskitcontainsallthecomponentsnecessarytomodifyDATELpanelmeterssuchthattheyacceptsignalinputsotherthanthestandard±2.0Vrange.	MURATA-PSMurata Power Solutions Inc. 村田村田制作所	MURATA-PS
DM-4105	文件：454.79 Kbytes Page：6 Pages	4-1/2-Digit,DifferentialLCDDisplaywithDataOutputs	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
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产品属性

产品编号：
ECQ-E4105JF
制造商：
Panasonic Electronic Components
类别：
电容器 > 薄膜电容器
系列：
ECQ-E(F)
包装：
散装
容差：
±5%
额定电压 - AC：
200V
额定电压 - DC：
400V
介电材料：
聚酯，金属化
工作温度：
-40°C ~ 105°C
安装类型：
通孔
封装/外壳：
径向
大小 / 尺寸：
1.024" 长 x 0.335" 宽（26.00mm x 8.50mm）
高度 - 安装（最大值）：
0.748"（19.00mm）
端接：
PC 引脚
引线间距：
0.886"（22.50mm）
应用：
通用
描述：
CAP FILM 1UF 5% 400VDC RADIAL

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