订购数量 | 价格 |
---|---|
1+ |
首页>ECH8619-TL-E>芯片详情
ECH8619-TL-E_SANYO/三洋_MOSFET N/P-CH 60V 3/2A ECH8金华微盛电
- 详细信息
- 规格书下载
产品属性
- 类型
描述
- 型号:
ECH8619-TL-E
- 功能描述:
MOSFET N/P-CH 60V 3/2A ECH8
- RoHS:
是
- 类别:
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
- 系列:
-
- 产品目录绘图:
8-SOIC Mosfet Package
- 标准包装:
1
- 系列:
- FET
- 型:
2 个 N 沟道(双) FET
- 特点:
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C:
3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的
- Vgs(th)(最大):
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs:
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds:
- 功率 -
- 最大:
1.4W
- 安装类型:
表面贴装
- 封装/外壳:
PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装:
PowerPAK? SO-8
- 包装:
Digi-Reel®
- 产品目录页面:
1664(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称:
SI7948DP-T1-GE3DKR
供应商
- 企业:
深圳市金华微盛电子有限公司
- 商铺:
- 联系人:
柯小姐 13510157626
- 手机:
13823749993
- 询价:
- 电话:
0755-82550578
- 传真:
0755-82539558
- 地址:
深圳市福田区中航路新亚洲二期电子城四楼 N4A131房间
相近型号
- ECH8652
- ECH8602R-TL-H
- ECH8653
- ECH8601-TL-E
- ECH8653-TL-H
- ECH8601R-TL-EX
- ECH8654
- ECH8601R-TL-E
- ECH8654-TL-HQ
- ECH8601R-B-TL-H
- ECH8655R
- ECH8601R
- ECH8655R-R-TL-H
- ECH8601M-C-TL-H
- ECH8655R-TL-H
- ECH8601M
- ECH8502-TL-H
- ECH8656-TL-H
- ECH8420-TL-H
- ECH8657
- ECH8420
- ECH8657-TL-H
- ECH8411-TL-E
- ECH8659-M-TL-H
- ECH8659-TL-H
- ECH8410-TL-H
- ECH8659-TL-W
- ECH8410
- ECH8660
- ECH8402-TL-E
- ECH8660-TL-H
- ECH8320-TL-H
- ECH8661
- ECH8661-TL-H
- ECH8315-TL-H
- ECH8662
- ECH8315
- ECH8663R
- ECH8311-TL-H
- ECH8663R-TL-H
- ECH8310-TL-H
- ECH8667
- ECH8310
- ECH8667-TL-H
- ECH8309-TL-H
- ECH8668
- ECH8308-TL-H
- ECH8668-TL-H
- ECH8308
- ECH8672