EC4H09C-TL-H 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频 ONSEMI/安森美半导体

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1+	面议

厂家型号：
EC4H09C-TL-H
产品分类：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
生产厂商：
ONSEMI/安森美半导体
库存数量：
9800
产品封装：
4-UFDFN
生产批号：
22+/23+
库存类型：
常用库存
更新时间：
2024-5-6 16:54:00

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原厂料号：EC4H09C-TL-H品牌：onsemi

原装进口公司现货假一赔百

EC4H09C-TL-H是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频。制造商onsemi生产封装4-UFDFN的EC4H09C-TL-H晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

芯片型号：
EC4H09C-TL-H
规格书：
下载下载2
企业简称：
ONSEMI【安森美半导体】详情
厂商全称：
ON Semiconductor
中文名称：
安森美半导体公司
资料说明：
射频双极电源晶体管 SWITCHING DEVICE

产品属性

类型
描述
产品编号：
EC4H09C-TL-H
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
托盘
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
3.5V
频率 - 跃迁：
26GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.3dB @ 2GHz
增益：
15dB
功率 - 最大值：
120mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
70 @ 5mA，1V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
40mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
4-UFDFN
供应商器件封装：
4-ECSP1008
描述：
RF TRANS NPN 3.5V 26GHZ ECSP1008

供应商

企业：
深圳市诺美思科技有限公司
商铺：
进入商铺
联系人：
Eva
手机：
13828790990
询价：
电话：
0755-82811187
地址：
深圳市福田区华强北街道深纺大厦B座1503

EC4H09C-TL-H 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频 ONSEMI/安森美半导体

EC4H09C-TL-H

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