| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市纳立科技有限公司3年
留言
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1983 |
三年内 |
纳立只做原装正品13590203865 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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onsemiPG-TO262-3-1 |
21000 |
21+ |
专业分立半导体,原装渠道正品现货 |
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深圳市英瑞尔电子科技有限公司10年
留言
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SANYOSMD |
2600 |
22+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳市百纳智芯科技有限公司1年
留言
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ONN/A |
6000 |
2021 |
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深圳市诺美思科技有限公司14年
留言
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onsemi4-UFDFN |
9800 |
22+/23+ |
原装进口公司现货假一赔百 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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onsemi4-UFDFN |
9350 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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EC4H09C-TL-H图片
EC4H09C-TL-H中文资料Alldatasheet PDF
更多EC4H09C-TL-H功能描述:射频双极电源晶体管 SWITCHING DEVICE RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集电极/Base Gain hfe Min:40 最大工作频率:30 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V 集电极连续电流:20 A 最大直流电集电极电流: 功率耗散:250 W 封装 / 箱体:Case 211-11 封装:Tray
产品属性
- 产品编号：
EC4H09C-TL-H
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
3.5V
- 频率 - 跃迁：
26GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.3dB @ 2GHz
- 增益：
15dB
- 功率 - 最大值：
120mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
70 @ 5mA，1V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
40mA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
4-UFDFN
- 供应商器件封装：
4-ECSP1008
- 描述：
RF TRANS NPN 3.5V 26GHZ ECSP1008
