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DN0150ADJ-7	文件：89.97 Kbytes Page：4 Pages	DUAL NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note1) •GreenDevice(Note2) •UltraSmallPackage	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
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DN0150ADJ-7

文件：89.97 Kbytes

Page：4 Pages

DUAL NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR

Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note1) •GreenDevice(Note2) •UltraSmallPackage

DIODESDiodes Incorporated

达尔科技

DIODES

DC0150ADJ-7

文件：266.89 Kbytes

Page：6 Pages

COMPLEMENTARYNPN/PNPSURFACEMOUNTTRANSISTOR

Features EpitaxialPlanarDieConstruction •IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note1) •GreenDevice(Note2) •UltraSmallPackag

DIODESDiodes Incorporated

达尔科技

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DP0150ADJ-7

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DUALPNPSURFACEMOUNTTRANSISTOR

Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note1) •GreenDevice(Note2) •UltraSmallPackage

DIODESDiodes Incorporated

达尔科技

DIODES

详细参数

型号：
DN0150ADJ-7
功能描述：
两极晶体管 - BJT BIPOLAR SMALL SIGNAL NPN/NPN
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多DN0150ADJ-7供应商更新时间2024-5-15 13:59:00

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