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DN0150BLP4-7	文件：116.94 Kbytes Page：4 Pages	NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features •BVCEO>50V •IC=100mAHighCollectorCurrent •PD=1000mWPowerDissipation •0.60mm2PackageFootprint,13timesSmallerthanSOT23 •0.4mmHeightPackageMinimizingOff-BoardProfile •ComplementaryPNPType:DP0150ALP4/DP0150BLP4 •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompli	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
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DN0150BLP4-7	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：3-XFDFN 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 50V 0.1A 3DFN	PAMDiodes Incorporated 龙鼎威	PAM
DN0150BLP4-7B	文件：97.6 Kbytes Page：5 Pages	50V NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DN0150BLP4-7B	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：3-XFDFN 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 50V 0.1A 3DFN	PAMDiodes Incorporated 龙鼎威	PAM
DP0150BLP4-7	文件：118.96 Kbytes Page：4 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •BVCEO>-50V •IC=-100mAHighCollectorCurrent •PD=1000mWPowerDissipation •0.60mm2PackageFootprint,13TimesSmallerthanSOT23 •0.4mmHeightPackageMinimizingOff-BoardProfile •ComplementaryNPNType:DN0150ALP4/DN0150BLP4 •TotallyLead-Free&FullyRoHSCo	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
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产品属性

产品编号：
DN0150BLP4-7
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 10mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 2mA，6V
频率 - 跃迁：
60MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
3-XFDFN
供应商器件封装：
X2-DFN1006-3
描述：
TRANS NPN 50V 0.1A 3DFN

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