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DMN32D2LDF-7	文件：281.46 Kbytes Page：4 Pages	COMMON SOURCE DUAL N-CHANNEL Features •CommonSourceDualN-ChannelMOSFET •LowOn-Resistance •VeryLowGateThresholdVoltage,1.2Vmax •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •SmallSurfaceMountPackage •ESDProtectedGate •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note2) •Gree	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES

零件编号

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功能描述

制造商&上传企业

LOGO

DMN32D2LDF-7

文件：281.46 Kbytes

Page：4 Pages

COMMON SOURCE DUAL N-CHANNEL

Features •CommonSourceDualN-ChannelMOSFET •LowOn-Resistance •VeryLowGateThresholdVoltage,1.2Vmax •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •SmallSurfaceMountPackage •ESDProtectedGate •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note2) •Gree

DIODESDiodes Incorporated

达尔科技

DIODES

详细参数

型号：
DMN32D2LDF-7
功能描述：
MOSFET 350mw 30V DUAL
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多DMN32D2LDF-7供应商更新时间2024-6-7 17:18:00

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