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DMN66D0LDW-7	文件：181.28 Kbytes Page：4 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DescriptionandApplications ThisnewgenerationMOSFEThasbeendesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(on))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhigh-efficiencypowermanagementapplications. •LoadSwitches FeaturesandBenefits •DualN-ChannelMOS	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES

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功能描述

制造商&上传企业

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DMN66D0LDW-7

文件：181.28 Kbytes

Page：4 Pages

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

DescriptionandApplications ThisnewgenerationMOSFEThasbeendesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(on))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhigh-efficiencypowermanagementapplications. •LoadSwitches FeaturesandBenefits •DualN-ChannelMOS

DIODESDiodes Incorporated

达尔科技

DIODES

详细参数

型号：
DMN66D0LDW-7
功能描述：
MOSFET 250mW 60Vdss
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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