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MTB50P03HDL	文件：182.05 Kbytes Page：12 Pages	TMOSPOWERFETLOGICLEVEL50AMPERES30VOLTS HDTMOSE-FET™HighEnergyPowerFETD2PAKforSurfaceMount P-channelEnhancement-ModeSiliconGate TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponen	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTB50P03HDLG	文件：96.15 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET50Amps,30Volts,LogicLevelP?묬hannelD2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTB50P03HDLG	文件：143.96 Kbytes Page：9 Pages	P-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTP50P03HDL	文件：91.41 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET50Amps,30Volts,LogicLevelP-ChannelTO-220	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTP50P03HDL	文件：131.72 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFETLOGICLEVEL50AMPERES30VOLTSRDS(on)=0.025OHM HDTMOSE-FETPowerFieldEffectTransistor P–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate Thisadvancedhigh–celldensityHDTMOSpowerFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecover	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTP50P03HDL	文件：294.53 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=50A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=25mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTP50P03HDLG	文件：91.41 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET50Amps,30Volts,LogicLevelP-ChannelTO-220	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NP50P03YDG	文件：238.04 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheNP50P03YDGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance ⎯RDS(on)=8.4mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−25A) •LowCiss:Ciss=2300pFTYP.(VDS=−25V,VGS=0V) •Designedforautomotiveapp	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP50P03YDG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
SPD50P03L	文件：77.21 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS-PPower-Transistor Feature •P-Channel •Enhancementmode •LogicLevel •Highcurrentrating •175°Coperatingtemperature •Avalancherated •dv/dtrated	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPD50P03LG	文件：633.91 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS-PPower-Transistor Features •P-Channel •Enhancementmode •Logiclevel •175°Coperatingtemperature •Avalancherated •dv/dtrated •Highcurrentrating •Pb-freelead-plating,RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPD50P03LG	文件：391.1 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS짰-PPower-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPD50P03LG	文件：1.78852 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET FEATURES •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SPR50P03-C	文件：301.27 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SQD50P03	文件：162.91 Kbytes Page：9 Pages	AutomotiveP-Channel30V(D-S)175째CMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SQM50P03	文件：163.18 Kbytes Page：9 Pages	AutomotiveP-Channel30V(D-S)175째CMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SW50P03	文件：626.25 Kbytes Page：6 Pages	P-channelEnhancedmodeTO-251MOSFET	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
VBZE50P03	文件：626.22 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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深圳市粤骏腾电子科技有限公司	CJAC50P03	CJ/长电	22+	PDFNWB5*6-8L	20000	原装正品支持实单	询价
深圳市汇莱威科技有限公司	CJAC50P03	CJ/长晶		PDFNWB568L	7906200		询价
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深圳市联成美业电子有限公司	CJAC50P03	CJ/长晶	22+		24000	询价拨打15919799957全天在线	询价
深圳市广弘电子有限公司	CJAC50P03	CJ/长晶	2021+	PDFNWB56-8L	1000	13632880263	询价
深圳市星宇佳科技有限公司	CJAC50P03	CJ(江苏长电/长晶)	20+	PDFNWB-8L-EP(5x6)	5000		询价
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