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CEM26138	文件：577.71 Kbytes Page：7 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■30V,7.6A,RDS(ON)=22mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=33mΩ@VGS=4.5V. ■20V,6A,RDS(ON)=27mΩ@VGS=4.5V. RDS(ON)=40mΩ@VGS=2.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lea	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEM26138	文件：966.26 Kbytes Page：7 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 30V,7.6A,RDS(ON)=22mW@VGS=10V. RDS(ON)=33mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant. 20V,6A,RDS(ON)=27mW@VGS=4.5V. RDS(ON)=40mW@VGS=2.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
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CEM26138

文件：577.71 Kbytes

Page：7 Pages

Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■30V,7.6A,RDS(ON)=22mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=33mΩ@VGS=4.5V. ■20V,6A,RDS(ON)=27mΩ@VGS=4.5V. RDS(ON)=40mΩ@VGS=2.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lea

CETCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CET

CEM26138

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Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 30V,7.6A,RDS(ON)=22mW@VGS=10V. RDS(ON)=33mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant. 20V,6A,RDS(ON)=27mW@VGS=4.5V. RDS(ON)=40mW@VGS=2.5V.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CET-MOS

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NJU26100SeriesHardwareSpecification

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新日本无线株式会社

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更多CEM26138供应商更新时间2024-6-15 14:00:00

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