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CED25N15L	文件：415.62 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■150V,25A,RDS(ON)=70mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=80mΩ@VGS=5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CED25N15L	文件：641.71 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 150V,25A,RDS(ON)=70mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=80mW@VGS=5V. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
25N15BH	文件：96.53 Kbytes Page：1 Pages	HIGHVOLTAGEMULTIPLESILICONPACKAGES	EDAL Edal Industries, Inc.	EDAL
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25N15CI	文件：96.53 Kbytes Page：1 Pages	HIGHVOLTAGEMULTIPLESILICONPACKAGES	EDAL Edal Industries, Inc.	EDAL
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详细参数

型号：
CED25N15L
制造商：
CET
制造商全称：
Chino-Excel Technology
功能描述：
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多CED25N15L供应商更新时间2024-5-25 11:36:00

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