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MTM12N10	文件：177.4 Kbytes Page：5 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTM12N10E	文件：177.4 Kbytes Page：5 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTP12N10	文件：279.7 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.18Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTP12N10E	文件：239.72 Kbytes Page：6 Pages	TMOSPOWERFET12AMPERES100VOLTSRDS(on)=0.16OHM	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTP12N10E	文件：99.75 Kbytes Page：2 Pages	PowerFieldEffectTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
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MTP12N10L	文件：113.29 Kbytes Page：2 Pages	PowerFieldEffectTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
NTD12N10	文件：148.34 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET12Amps,100Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD12N10	文件：77.77 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET12Amps,100VoltsN?묬hannelEnhancement?묺odeDPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD12N10	文件：298.3 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.165Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NTD12N10G	文件：1.01012 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NTD12N10G	文件：148.34 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET12Amps,100Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
PHD12N10E	文件：79.16 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuitableforsurfacemounting.ThedeviceisintendedforuseinSwitchedModePowerSupplies(SMPS),motorcontrol,welding,DC/DCandAC/DCconverters,andingeneralpurposeswitchingapplication	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHP12N10E	文件：72.09 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelope.ThedeviceisintendedforuseinSwitchedModePowerSupplies(SMPS),motorcontrol,welding,DC/DCandAC/DCconverters,andingeneralpurposeswitchingapplications.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
RFM12N10	文件：43.2 Kbytes Page：5 Pages	12A,80Vand100V,0.200Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,motordrivers,relaydriversanddriversforhighpowerbipolarswitchingtransistorsrequiringhighspeedandlowgatedrivepower.These	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
RFM12N10	文件：99.52 Kbytes Page：2 Pages	12A,80Vand100V,0.200Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,motordrivers,relaydriversanddriversforhighpowerbipolarswitchingtransistorsrequiringhighspeedandlowgatedrivepower.These	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
RFM12N10	文件：99.52 Kbytes Page：2 Pages	12A,80Vand100V,0.200Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,motordrivers,relaydriversanddriversforhighpowerbipolarswitchingtransistorsrequiringhighspeedandlowgatedrivepower.These	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
RFM12N10L	文件：101.13 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelLogicLevelPowerField-EffectTransistors(L2FET) TheRFM12N08LandRFM12N10LandtheRFP12N08LandRFP12N10Laren-channelenhancement-modesilicon-gatepowerfield-effecttransistorsspecificallydesignedforusewithlogiclevel(5volt)drivingsourcesinapplicationssuchasprogrammablecontrollers,automotiveswitching,andsolenoiddriver	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
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详细参数

型号：
CED12N10L
制造商：
CET
制造商全称：
Chino-Excel Technology
功能描述：
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市明嘉莱科技有限公司	CED12N10L	CET/華瑞	24+	TO-251	156629	明嘉莱只做原装正品现货	询价
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更多CED12N10L供应商更新时间2024-6-5 17:06:00

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