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CED11P10	文件：547.91 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -100V,-7A,RDS(ON)=270mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEU11P10	文件：547.91 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -100V,-7A,RDS(ON)=270mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS

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P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

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深圳市国宇半导体科技有限公司	CED11P15	C	23+	TO-251	10000	公司只做原装正品	询价
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易创佳业科技（深圳）有限公司	CED11P15	C	23+	TO-251	6000	原装正品，支持实单	询价
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更多CED11P10供应商更新时间2024-6-3 14:30:00

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