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C6D10065A	文件：1.73513 Mbytes Page：9 Pages	6th Generation 650 V, 10 A Silicon Carbide Schottky Diode Description WiththeperformanceadvantagesofaSiliconCarbide(SiC) SchottkyBarrierdiode,powerelectronicssystemscanexpect tomeethigherefficiencystandardsthanSi-basedsolutions, whilealsoreachinghigherfrequenciesandpowerdensities. SiCdiodescanbeeasilyparalleledtom	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
C6D10065A	文件：708.97 Kbytes Page：6 Pages	Silicon Carbide Schottky Diode	CreeCree Inc. 科锐科锐半导体制造商	Cree
C6D10065A	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-220-2 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：10A 650V G6 ZREC SIC SCHOTTKY DI	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
ADC6D10065A	文件：234.9 Kbytes Page：5 Pages	650-VDirectWBGDiode KeyFeatures: •SiCperformance •Easyparalleling •Highcurrentcarryingcapability •Verylowjunctioncapacitance •HighlystableV FandQRRatelevated temperatures	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
ADC6D10065E	文件：196.03 Kbytes Page：5 Pages	650-VDirectWBGDiode KeyFeatures: •SiCperformance •Easyparalleling •Highcurrentcarryingcapability •Verylowjunctioncapacitance •HighlystableVFandQRRatelevated temperatures	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
ADC6D10065G	文件：245.74 Kbytes Page：5 Pages	650-VDirectWBGDiode KeyFeatures: •SiCperformance •Easyparalleling •Highcurrentcarryingcapability •Verylowjunctioncapacitance •HighlystableVFandQRRatelevated temperatures	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
C6D10065E	文件：716.6 Kbytes Page：6 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiodeZ-Rec®Rectifier Features •New6thGenerationTechnology •LowForwardVoltageDrop(VF ) •ZeroReverseRecoveryCurrent •ZeroForwardRecoveryVoltage •LowLeakageCurrent(Ir ) •Temperature-IndependentSwitchingBehavior •PositiveTemperatureCoefficientonVF Benefits •HigherSystemLevelEffi	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
C6D10065G	文件：1.0688 Mbytes Page：6 Pages	6thGeneration650V,10ASiliconCarbideSchottkyDiode Description WiththeperformanceadvantagesofaSiliconCarbide(SiC) SchottkyBarrierdiode,powerelectronicssystemscanexpect tomeethigherefficiencystandardsthanSi-basedsolutions, whilealsoreachinghigherfrequenciesandpowerdensities. SiCdiodescanbeeasilyparalleledtom	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
C6D10065Q	文件：707.23 Kbytes Page：7 Pages	6thGeneration650V,10ASiliconCarbideSchottkyDiode Description WiththeperformanceadvantagesofaSiliconCarbide(SiC) SchottkyBarrierdiode,powerelectronicssystemscanexpect tomeethigherefficiencystandardsthanSi-basedsolutions, whilealsoreachinghigherfrequenciesandpowerdensities. SiCdiodescanbeeasilyparalleledtom	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
S6D10065A	文件：863.61 Kbytes Page：11 Pages	10A650VSICPOWERSCHOTTKYRECTIFIERS 175°CTJoperation Ultra-lowswitchingloss Switchingspeedsindependentofoperatingtemperature Lowtotalconductionlosses Highforwardsurgecurrentcapability Highpackageisolationvoltage Terminalsfinish:100PureTin Pb−FreeDevice AllSMCpartsaretraceablet	SMCDIODESMC Diode Solutions 桑德斯微电子器件（南京）有限公司	SMCDIODE
S6D10065A-HF	文件：574.29 Kbytes Page：8 Pages	650VSICPOWERSCHOTTKYRECTIFIER 175°CTJoperation Ultra-lowswitchingloss Switchingspeedsindependentofoperatingtemperature Lowtotalconductionlosses Highforwardsurgecurrentcapability Highpackageisolationvoltage “-A”isanAEC-Q101qualifieddevice Terminalsfinish:100PureTin Halogen-Free AllSMCparts	SMCDIODESMC Diode Solutions 桑德斯微电子器件（南京）有限公司	SMCDIODE
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S6D10065L	文件：555.74 Kbytes Page：6 Pages	650VSICPOWERSCHOTTKYRECTIFIER 175°CTJoperation Ultra-lowswitchingloss Switchingspeedsindependentofoperatingtemperature Lowtotalconductionlosses Highforwardsurgecurrentcapability Highpackageisolationvoltage Terminalsfinish:100PureTin “-A”isanAEC-Q101qualifieddevice Pb−FreeDevice AllSMCp	SMCDIODESMC Diode Solutions 桑德斯微电子器件（南京）有限公司	SMCDIODE
S6D10065LTR	文件：555.74 Kbytes Page：6 Pages	650VSICPOWERSCHOTTKYRECTIFIER 175°CTJoperation Ultra-lowswitchingloss Switchingspeedsindependentofoperatingtemperature Lowtotalconductionlosses Highforwardsurgecurrentcapability Highpackageisolationvoltage Terminalsfinish:100PureTin “-A”isanAEC-Q101qualifieddevice Pb−FreeDevice AllSMCp	SMCDIODESMC Diode Solutions 桑德斯微电子器件（南京）有限公司	SMCDIODE

产品属性

产品编号：
C6D10065A
制造商：
Wolfspeed, Inc.
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
系列：
Z-Rec®
包装：
管件
二极管类型：
碳化硅肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
37A
速度：
无恢复时间 > 500mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
611pF @ 0V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-2
供应商器件封装：
TO-220-2
工作温度 - 结：
-55°C ~ 175°C
描述：
10A 650V G6 ZREC SIC SCHOTTKY DI

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