| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
|
NXP/WEENTO-220AB |
4000 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
|||
|
深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
|
NXPTO-252 |
37650 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
|||
|
深圳市吉银科技有限公司1年
留言
|
NXP/恩智浦TO-252 |
11153 |
19+/20+ |
||||
|
深圳市润联芯城科技有限公司1年
留言
|
PHITO-220 |
30000 |
22+ |
只做原装正品 |
|||
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
NXP/WEENTO-220AB |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
||||
|
深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
|
PHILIPSTO-220 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
|
深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
|
PHITO-TO-220 |
33500 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
|||
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
PHILIPSTO-220 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
|||
|
深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
|
PHILIPS/飞利浦TO-220 |
8000 |
22+ |
|
原装正品支持实单 |
||
|
柒号芯城电子商务(深圳)有限公司1年
留言
|
NXPTO220 |
700000 |
2023+ |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
|||
|
瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
|
NXPSEMICO |
35200 |
21+ |
一级代理/放心采购 |
|||
|
艾睿国际（香港）有限公司2年
留言
|
NXP/恩智浦SMD |
100500 |
2021+ |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
|
深圳市华来深电子有限公司11年
留言
|
NXPTO-220 |
11846 |
23+ |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
|||
|
天津市博通航睿技术有限公司1年
留言
|
NXP/WEENTO-220AB |
4100 |
16+ |
全新原装 实单必成 |
|||
|
深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
|
PHILIPS/飞利浦TO-220 |
25000 |
22+ |
只做原装进口现货,专注配单 |
|||
|
深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
|
PHITO-TO-220 |
12300 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
|||
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
NXP |
589220 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
||||
|
深圳市航宇科工半导体有限公司3年
留言
|
PHINA |
5556 |
23+ |
航宇科工半导体-中国航天科工集团战略合作伙伴! |
|||
|
深圳市一线半导体有限公司15年
留言
|
PHSOT78TO-220AB |
8866 |
08+(pbfree) |
||||
|
深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
|
PHILIPS/飞利浦TO-220 |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
BUJ103A采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
BUJ103A图片
BUJ103A中文资料Alldatasheet PDF
更多BUJ103A功能描述:两极晶体管 - BJT RAIL BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BUJ103A,127功能描述:两极晶体管 - BJT RAIL BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BUJ103A127制造商:Rochester Electronics LLC 制造商:NXP 制造商:NXP Semiconductors
BUJ103AD制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon diffused power transistor
BUJ103AD,118功能描述:两极晶体管 - BJT Trans GP BJT NPN 400V 4A 3-Pin(2+Tab) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BUJ103AU制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor
BUJ103AX制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor
BUJ103AX,127功能描述:两极晶体管 - BJT SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
