选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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NXPTO-252 |
37650 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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NXP/WEENTO-220AB |
4000 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市吉银科技有限公司1年
留言
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NXP/恩智浦TO-252 |
11153 |
19+/20+ |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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NXPTO-252 |
15000 |
21+ |
只做原装,绝对现货,原厂代理商渠道,欢迎电话微信查 |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
留言
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WEEN/瑞能TO252 |
10000 |
21+ROHS |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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深圳市辰德隆电子科技有限公司9年
留言
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NXP/恩智浦TO-252 |
6000 |
23+ |
所有报价以当天为准 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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NXP/恩智浦TO-252 |
880000 |
15+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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NXP/WEENTO-220AB |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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WEEN SEMICONDUCTORSSMD |
518000 |
22+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司6年
留言
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WEEN/瑞能NA/ |
4250 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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WEEN SEMICONDUCTORSSMD |
880000 |
23+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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艾睿国际(香港)有限公司2年
留言
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WeEn(瑞能)SOT186A |
115000 |
2112+ |
100个/管一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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NXP/恩智浦TO220F |
6500 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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PHILIPS/飞利浦TO-220 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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PHILIPS/飞利浦TO-220 |
20 |
23+ |
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深圳市华芯源电子有限公司5年
留言
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NXP/恩智浦TO-220AB |
16033 |
22+ |
终端免费提供样品 可开13%增值税发票 |
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深圳市盈盛科创科技有限公司9年
留言
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NXP/恩智浦TO-252 |
6000 |
22+ |
进口原装 假一罚十 现货 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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WEENTO-252 |
22500 |
21+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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PHITO-TO-220F |
33500 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市科达星科技有限公司3年
留言
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NXP(恩智浦)N/A |
6000 |
23+ |
原装正品 支持实单 |
BUJ103采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
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更多BUJ103制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor
BUJ103A功能描述:两极晶体管 - BJT RAIL BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BUJ103A,127功能描述:两极晶体管 - BJT RAIL BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BUJ103A127制造商:Rochester Electronics LLC 制造商:NXP 制造商:NXP Semiconductors
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BUJ103AD,118功能描述:两极晶体管 - BJT Trans GP BJT NPN 400V 4A 3-Pin(2+Tab) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BUJ103AU制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor
BUJ103AX制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor
BUJ103AX,127功能描述:两极晶体管 - BJT SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2