首页>BUB323ZT4>规格书详情

BUB323ZT4分立半导体产品晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

BUB323ZT4
厂商型号

BUB323ZT4

参数属性

BUB323ZT4 封装/外壳为TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装为散装;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK

功能描述

NPN Silicon Power Darlington
TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK

文件大小

118.95 Kbytes

页面数量

12

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

原厂下载下载地址一下载地址二原厂数据手册到原厂下载

更新时间

2024-5-19 18:00:00

BUB323ZT4规格书详情

BUB323ZT4属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个。安森美半导体公司制造生产的BUB323ZT4晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

产品属性

  • 产品编号:

    BUB323ZT4

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.7V @ 250mA,10A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    500 @ 5A,4.6V

  • 频率 - 跃迁:

    2MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

  • 供应商器件封装:

    D²PAK

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
21+
25000
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票!
询价
ON
08+(pbfree)
D2PAK3LEAD
8866
询价
ON(安森美)
23+
N/A
589610
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理!
询价
ON-安森美
24+25+/26+27+
TO-263-3
78800
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
询价
ON
21+
35200
一级代理/放心采购
询价
ON/安森美
22+
SMD
9000
原装正品
询价
安森美
21+
12588
原装正品,价格优势量大可定
询价
ON
23+
TO-263
33500
全新原装真实库存含13点增值税票!
询价
ON/安森美
23+
D2PAK-3
25500
授权代理直销,原厂原装现货,假一罚十,特价销售
询价
三年内
1983
纳立只做原装正品13590203865
询价