BUB323Z分立半导体产品晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料
厂商型号 |
BUB323Z |
参数属性 | BUB323Z 封装/外壳为TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK |
功能描述 | NPN Silicon Power Darlington High Voltage Autoprotected D2PAK for Surface Mount |
文件大小 |
90.57 Kbytes |
页面数量 |
8 页 |
生产厂商 | ON Semiconductor |
企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-7 20:58:00 |
BUB323Z规格书详情
BUB323Z属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个。安森美半导体公司制造生产的BUB323Z晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
产品属性
- 产品编号:
BUB323Z
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
1.7V @ 250mA,10A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
500 @ 5A,4.6V
- 频率 - 跃迁:
2MHz
- 工作温度:
-65°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
- 供应商器件封装:
D²PAK
- 描述:
TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
三年内 |
1983 |
纳立只做原装正品13590203865 |
询价 | ||||
ON |
23+ |
D2PAK3LEAD |
7182 |
全新原装 |
询价 | ||
ON |
13+ |
TO263 |
14 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ON |
2020+ |
TO-263 |
16800 |
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ONSEMI |
22+ |
NA |
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ST |
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TO-263 |
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ST/意法 |
22+ |
TO-263 |
98993 |
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ON |
06+ |
TO-263 |
305 |
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