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BSS63LT1	文件：60.8 Kbytes Page：4 Pages	High Voltage Transistor(PNP Silicon) HighVoltageTransistors PNPSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BSS63LT1	文件：117.05 Kbytes Page：3 Pages	High Voltage Transistor HighVoltageTransistor PNPSilicon Features •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BSS63LT1D	文件：117.05 Kbytes Page：3 Pages	High Voltage Transistor HighVoltageTransistor PNPSilicon Features •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BSS63LT1G	文件：117.05 Kbytes Page：3 Pages	High Voltage Transistor HighVoltageTransistor PNPSilicon Features •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BSS63-Q	文件：180.24 Kbytes Page：7 Pages	PNP high-voltage transistor 1.Generaldescription PNPhigh-voltagetransistorinaSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. 2.Featuresandbenefits •Lowcurrent(max.100mA) •Highvoltage(max.100V) •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotiveapplications 3.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BSS63R	文件：35.84 Kbytes Page：1 Pages	High Voltage Transistor Features ●SOT23PNPsiliconplanar	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BSS63R-T6	文件：29.99 Kbytes Page：1 Pages	SOT23 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR COMPLIMENTARYTYPE-BSS64 PARTMARKINGDETAIL-BSS63-T3 BSS63R-T6	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
BSS63-T3	文件：29.99 Kbytes Page：1 Pages	SOT23 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR COMPLIMENTARYTYPE-BSS64 PARTMARKINGDETAIL-BSS63-T3 BSS63R-T6	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
BSS64	文件：41.86 Kbytes Page：8 Pages	NPN high-voltage transistor DESCRIPTION NPNtransistorinaSOT23plasticpackage. PNPcomplement:BSS63. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Highvoltage(max.80V). APPLICATIONS •High-voltagegeneralpurposeandswitchingapplications •Intendedforapplicationinthickandthin-filmcircuits.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BSS64	文件：140.33 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon AF and Switching Transistor (High breakdown voltage Low collector-emitter saturation voltage) NPNSiliconAFandSwitchingTransistor ●Highbreakdownvoltage ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BCX42,BSS63(PNP)	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BSS64	文件：62.33 Kbytes Page：5 Pages	NPN General Purpose Amplifier Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposehighvoltageamplifiersandgasdischargedisplaydriving.SourcedfromProcess16.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BSS64	文件：60.42 Kbytes Page：1 Pages	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING) GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
BSS64	文件：50.94 Kbytes Page：5 Pages	NPN Silicon AF and Switching Transistors NPNSiliconAFandSwitchingTransistors •ForgeneralAFapplications •Highbreakdownvoltage •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Complementarytypes:BCX42,BSS63(PNP)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BSS64	文件：30.06 Kbytes Page：1 Pages	SOT23 NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR COMPLIMENTARYTYPE-BSS63 PARTMARKINGDETAIL-BSS64-U3 BSS64R-U6	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
BSS64	文件：39.09 Kbytes Page：1 Pages	NPN General Purpose Amplifier Features •NPNgeneralpurposeamplifier	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BSS64	文件：107.94 Kbytes Page：6 Pages	NPN high voltage transistor DESCRIPTION NPNtransistorinaSOT23plasticpackage. PNPcomplement:BSS63. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Highvoltage(max.80V). APPLICATIONS •High-voltagegeneralpurposeandswitchingapplications •Intendedforthickandthin-filmcircuitapplications.	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BSS64	文件：173.66 Kbytes Page：2 Pages	Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors •Powerdissipation250mW •PlasticcaseSOT-23 •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreeled	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
BSS64	文件：293.2 Kbytes Page：7 Pages	NPN high voltage transistor FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Highvoltage(max.80V). APPLICATIONS •High-voltagegeneralpurposeandswitchingapplications •Intendedforthickandthin-filmcircuitapplications. DESCRIPTION NPNtransistorinaSOT23plasticpackage.PNPcomplement:BSS63.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BSS64HZG	文件：1.43838 Mbytes Page：10 Pages	High-voltage Amplifier Transistor (100V, 100mA) Features 1)Highbreakdownvoltage.(BVCEO=100V) 2)ComplementstheBSS63HZG. Application HIGHVOLTAGEAMPLIFIER	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BSS64LT1	文件：77.35 Kbytes Page：4 Pages	Driver Transistor(NPN) DriverTransistor NPNSilicon INFORMATIONFORUSINGTHESOT–23SURFACEMOUNTPACKAGE MINIMUMRECOMMENDEDFOOTPRINTFORSURFACEMOUNTEDAPPLICATIONS Surfacemountboardlayoutisacriticalportionofthetotaldesign.Thefootprintforthesemiconductorpackagesmustbethecorrect	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola

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晶体管资料

型号：
BSS60
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性质：
开关管（S）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
350MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
0.8W
放大倍数：
图片代号：
C-40
vtest：
60
htest：
350000000
atest：
1
wtest：
.8

详细参数

型号：
BSS6
功能描述：
MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多BSS6供应商更新时间2024-5-21 11:12:00

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