BSS63-Q分立半导体产品晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BSS63-Q |
| 参数属性 | BSS63-Q 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个；产品描述：TRANS PNP 100V 0.1A TO236AB |
| 功能描述 | PNP high-voltage transistor |
| 文件大小 |
180.24 Kbytes |
| 页面数量 |
7 页 |
| 生产厂商 | Nexperia B.V. All rights reserved |
| 企业简称 |
NEXPERIA【安世】 |
| 中文名称 | 安世半导体(中国)有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-8 22:59:00 |
BSS63-Q规格书详情
1. General description
PNP high-voltage transistor in a SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic
package.
2. Features and benefits
• Low current (max. 100 mA)
• High voltage (max. 100 V)
• Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applications
3. Applications
• High-voltage general purpose
• Switching applications
BSS63-Q属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个。安世半导体(中国)有限公司制造生产的BSS63-Q晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
产品属性
- 产品编号：
BSS63-QR
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 系列：
Automotive, AEC-Q101
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 2.5mA，25mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 25mA，1V
- 频率 - 跃迁：
85MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
TO-236AB
- 描述：
TRANS PNP 100V 0.1A TO236AB
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