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BSM15GD120DN2E3224

IGBT Power Module

•Powermodule •3-phasefull-bridge •Includingfastfree-wheeldiodes •Packagewithinsulatedmetalbaseplate

eupeceupec GmbH

欧派克

BSM15GD120DN2E3224

英飞凌IGBT模块 BSM15GD120DN2E3224

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

BSM15GD120DN2E3224BDLA1

包装:托盘 封装/外壳:模块 类别:分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 描述:IGBT MODULE 1200V

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

BSM15GD120DN2E3224BOSA1

包装:散装 封装/外壳:模块 类别:分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 描述:IGBT MOD 1200V 25A 145W

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

BSM15GD120DN2E3224BPSA1

包装:散装 封装/外壳:模块 类别:分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 描述:LOW POWER ECONO AG-ECONO2A-211

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

15GD120DN2E3224

IGBTPowerModule

•Powermodule •3-phasefull-bridge •Includingfastfree-wheeldiodes •Packagewithinsulatedmetalbaseplate

eupeceupec GmbH

欧派克

详细参数

  • 型号:

    BSM15GD120DN2E3224

  • 功能描述:

    IGBT 模块 N-CH 1.2KV 25A

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 产品:

    IGBT Silicon Modules

  • 配置:

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    445 W

  • 最大工作温度:

    + 125 C

  • 封装/箱体:

    34MM

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多BSM15GD120DN2E3224供应商 更新时间2024-6-15 15:46:00