| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市星佑电子有限公司16年
留言
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EUPECIGBT |
77 |
08+ |
绝对全新原装强调只做全新原装现 |
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浙江永芯科技有限公司4年
留言
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InfineonNA |
5000 |
23+ |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
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深圳市华瑞顺电子科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌IGBT |
1200 |
22+ |
本公司只做原装,特价出售! |
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深圳市瀚珑科技有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌SMD |
10250 |
24+ |
只做原装现货13691986278微信 |
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上海意淼电子科技有限公司8年
留言
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欧派克NA |
20000 |
23+ |
全新原装假一赔十 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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EUPECMODULE |
8513 |
专业模块 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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EUPECMODULE |
8513 |
专业模块 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
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深圳市赛美科科技有限公司9年
留言
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西门子原厂封装 |
1000 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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深圳市恒达亿科技有限公司10年
留言
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EUPEC200A/1700V/I |
50 |
23+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
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深圳市毅创腾电子科技有限公司13年
留言
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EUPEC模块 |
120 |
23+ |
全新原装正品,量大可订货!可开17%增值票!价格优势! |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)NA/ |
8735 |
23+ |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
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深圳市豪迈兴电子有限公司12年
留言
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EUPEC200A/1700V/I |
21322 |
2339+ |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
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江苏芯钻时代电子科技有限公司1年
留言
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INFINEONMODULE |
1000 |
23+ |
全新原装现货 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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INFINEON-英飞凌车规-模块MODULE |
1880 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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EUPECMODULE |
2173 |
18+ |
公司大量全新正品 随时可以发货 |
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华富测量(深圳)传感技术有限公司8年
留言
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原厂模块 |
600 |
2023+ |
专营模块,继电器,公司原装现货 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
留言
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50000 |
2023+ |
原装现货 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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欧派克 |
200 |
23+ |
专业模块销售,欢迎咨询 |
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深圳市诚利顺电子科技有限公司17年
留言
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EUPEC模块 |
300 |
2015 |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
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深圳市佳杰伟业科技有限公司12年
留言
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EUPECMODULE |
129 |
2306+ |
优势代理渠道,原装现货,可全系列订货 |
BSM200GA170DN2采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
BSM200GA170DN2图片
BSM200GA170DN2中文资料Alldatasheet PDF
更多BSM200GA170DN2功能描述:IGBT 模块 N-CH 1.7KV 290A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
BSM200GA170DN2S功能描述:IGBT 模块 N-CH 1.7KV 290A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
BSM200GA170DN2S C制造商:Infineon Technologies AG
BSM200GA170DN2S_E3256功能描述:IGBT 模块 IGBT 1700V 200A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
