BLV33中文资料PDF规格书
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
BLV33三极管、BLV33晶体管、BLV33晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-NPN
- 性质:
甚高频 (VHF)_功率放大 (L)
- 封装形式:
贴片封装
- 极限工作电压:
65V
- 最大电流允许值:
12.5A
- 最大工作频率:
224MHZ
- 引脚数:
4
- 可代换的型号:
- 最大耗散功率:
1.9W
- 放大倍数:
- 图片代号:
G-256
- vtest:
65
- htest:
224000000
- atest:
12.5
- wtest:
1.9
BLV33规格书详情
DESCRIPTION
NPN silicon planar epitaxial transistor encapsulated in a 1⁄16 4 fslead SOT147 capstan package with ceramic cap.
All leads are isolated from the stud.
FEATURES
• Diffused emitter ballasting resistors for an optimum
temperature profile
• Gold sandwich metallization ensures excellent
reliability.
APPLICATIONS
• Primarily intended for use in linear VHF amplifiers for
television transmitters and transposers.
产品属性
- 型号:
BLV33
- 功能描述:
射频双极电源晶体管 RF Transistor
- RoHS:
否
- 制造商:
M/A-COM Technology Solutions
- 配置:
Single 直流集电极/Base Gain hfe
- Min:
40
- 最大工作频率:
30 MHz 集电极—发射极最大电压
- VCEO:
25 V 发射极 - 基极电压
- VEBO:
4 V
- 集电极连续电流:
20 A
- 功率耗散:
250 W
- 封装/箱体:
Case 211-11
- 封装:
Tray
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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