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BLV31中文资料PDF规格书

BLV31
厂商型号

BLV31

功能描述

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

文件大小

14.86 Kbytes

页面数量

1

生产厂商 Advanced Semiconductor, Inc
企业简称

ASI

中文名称

Advanced Semiconductor, Inc官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二

更新时间

2024-6-13 0:03:00

晶体管资料

  • 型号:

    BLV31

  • 别名:

    BLV31三极管、BLV31晶体管、BLV31晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    甚高频 (VHF)_TR_输出极 (E)

  • 封装形式:

    贴片封装

  • 极限工作电压:

    60V

  • 最大电流允许值:

    3A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    4

  • 可代换的型号:

    BLW75,

  • 最大耗散功率:

    5W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    G-56

  • vtest:

    60

  • htest:

    999900

  • atest:

    3

  • wtest:

    5.0001

BLV31规格书详情

DESCRIPTION:

The ASI BLV31 is Designed for use in VHF amplifiers

FEATURES:

• PG = 16.5 dB Typical at 224 MHz

• Omnigold™ Metallization System

产品属性

  • 型号:

    BLV31

  • 功能描述:

    射频双极电源晶体管 RF Transistor

  • RoHS:

  • 制造商:

    M/A-COM Technology Solutions

  • 配置:

    Single 直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    40

  • 最大工作频率:

    30 MHz 集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    25 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    4 V

  • 集电极连续电流:

    20 A

  • 功率耗散:

    250 W

  • 封装/箱体:

    Case 211-11

  • 封装:

    Tray

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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