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BLT70,115 分立半导体产品晶体管 - 双极(BJT)- 射频 NXP/恩智浦
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原厂料号:BLT70,115品牌:NXP USA Inc.
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BLT70,115是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频。制造商NXP USA Inc.生产封装TO-261-4,TO-261AA/TO-261-4,TO-261AA的BLT70,115晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
产品属性
- 类型
描述
- 产品编号:
BLT70,115
- 制造商:
NXP USA Inc.
- 类别:
- 包装:
带
- 晶体管类型:
NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
8V
- 频率 - 跃迁:
900MHz
- 功率 - 最大值:
2.1W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
25 @ 100mA,4.8V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
250mA
- 工作温度:
175°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-261-4,TO-261AA
- 供应商器件封装:
SC-73
- 描述:
RF TRANS NPN 8V 900MHZ SOT223
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