选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
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PHILIPS |
5000 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
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5000 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
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PHILIPS |
35200 |
21+ |
一级代理/放心采购 |
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深圳市华睿芯科技有限公司8年
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PHILIPS |
20000 |
23+ |
原厂原装正品现货 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
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NXP-恩智浦TO-59.高频管 |
18800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市百诺芯科技有限公司8年
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PHILIPPNESTO-59 |
8510 |
23+ |
原装正品代理渠道价格优势 |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
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PHILIPS |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
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PHILIPS/飞利浦 |
10000 |
21+ROHS |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
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NXPNA |
45000 |
22+ |
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BLF4G20S-110图片
BLF4G20S-110B,112中文资料Alldatasheet PDF
更多BLF4G20S-110制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, SOT-502B
BLF4G20S-110B功能描述:射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
BLF4G20S-110B,112功能描述:射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray