选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
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深圳市创新迹电子有限公司1年
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BLF4G20LS-110B,112图片
BLF4G20LS-110B,112中文资料Alldatasheet PDF
更多BLF4G20LS-110B,112功能描述:射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
产品属性
- 产品编号:
BLF4G20LS-110B,112
- 制造商:
NXP USA Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
LDMOS
- 频率:
1.93GHz ~ 1.99GHz
- 增益:
13.4dB
- 额定电流(安培):
12A
- 功率 - 输出:
100W
- 封装/外壳:
SOT-502B
- 供应商器件封装:
SOT502B
- 描述:
FET RF 65V 1.99GHZ SOT502B