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CEF540N	文件：412.7 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■100V,36A,RDS(ON)=53mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEP540A	文件：101.68 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■100V,36A,RDS(ON)=48mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEP540L	文件：687.08 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEP540L	文件：633.43 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,36A,RDS(ON)=50mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired. RDS(ON)=53mW@VGS=5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEP540N	文件：585.01 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,36A,RDS(ON)=53mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEP540N	文件：412.7 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■100V,36A,RDS(ON)=53mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEU540A	文件：171.75 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■100V,25A,RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEU540L	文件：685.02 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEU540L	文件：617.16 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,25A,RDS(ON)=50mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Leadfreeproductisacquired. RDS(ON)=53mW@VGS=5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEU540N	文件：489.64 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,25A,RDS(ON)=53mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEU540N	文件：399.68 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■100V,25A,RDS(ON)=53mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CHM540ANPT	文件：239.2 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor VOLTAGE100VoltsCURRENT36Ampere FEATURE Smallpackage.(D2PAK) SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. APPLICATION Servomotorcontrol. PowerMOSFETgatedrivers. Otherswitchingapplications.	CHENMKOCHENMKO CHENMKO	CHENMKO
CHM540APAPT	文件：197.95 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor VOLTAGE100VoltsCURRENT25Ampere FEATURE Smallpackage.(TO-252A) SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. APPLICATION Servomotorcontrol. PowerMOSFETgatedrivers. Otherswitchingapplications.	CHENMKOCHENMKO CHENMKO	CHENMKO
CSMC540	文件：144.09 Kbytes Page：3 Pages	5.0Amp.SurfaceMountSchottkyBarrierDiodes	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
DD540N	文件：241.52 Kbytes Page：10 Pages	RectifierDiodeModule RectifierDiodeModule	eupeceupec GmbH 欧派克	eupec
DD540N	文件：347.39 Kbytes Page：10 Pages	Pressurecontacttechnologyforhighreliability KeyParameters VDRM/VRRM2000V-2600V IFAVM540A(TC=100°C) IFSM16500A VT00,78V rT0,31mΩ RthJC0,078K/W Baseplate60mm Weight1500g Features •Pressurecontacttechnologyforhighreliability •AdvancedMediumPowerTechnology(AMPT) •Industria	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
DG540	文件：243.53 Kbytes Page：18 Pages	Wideband/VideoTSwitches	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
DG540	文件：146.36 Kbytes Page：11 Pages	Wideband/VideoTSwitches	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
DG540	文件：154.58 Kbytes Page：10 Pages	Wideband/VideoTSwitches	TemicTEMIC 杰驰电子	Temic
DG540	文件：253.07 Kbytes Page：18 Pages	Wideband/Video?쏷??Switches FEATURES •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 Definition •WideBandwidth:500MHZ •LowCrosstalk:-85dB •HighOff-Isolation:-80dBat5MHz •TSwitchConfiguration •TTLandCMOSLogicCompatible •FastSwitching-tON:45ns •LowRDS(on):30 •ComplianttoRoHSDirectiv	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市威尔健半导体有限公司	BFR540超小型管	NXP/恩智浦	23+	SOT-23	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳廊盛科技有限公司	BFR540超小型管	NXP/恩智浦	2022	SOT-23	80000	原装现货,OEM渠道,欢迎咨询	询价
深圳市宝隆宏业科技有限公司	BFR540超小型管	NEXPERIA/安世	2122+	SOT-23	98800	全新原装正品现货,假一赔十	询价
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更多BFR540超小型管供应商更新时间2024-6-9 11:00:00

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