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BFP720FESD分立半导体产品晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

BFP720FESD
厂商型号

BFP720FESD

参数属性

BFP720FESD 封装/外壳为4-SMD,扁平引线;包装为托盘;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频;产品描述:RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ 4TSFP

功能描述

Robust Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor
RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ 4TSFP

文件大小

1.63823 Mbytes

页面数量

28

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

Infineon英飞凌

中文名称

英飞凌科技公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-29 17:46:00

BFP720FESD规格书详情

BFP720FESD属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频。英飞凌科技公司制造生产的BFP720FESD晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

产品属性

  • 产品编号:

    BFP720FESDH6327XTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    4.7V

  • 频率 - 跃迁:

    45GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    0.5dB ~ 1.3dB @ 150MHz ~ 10GHz

  • 增益:

    10dB ~ 29dB

  • 功率 - 最大值:

    100mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    160 @ 15mA,3V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    30mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    4-SMD,扁平引线

  • 供应商器件封装:

    4-TSFP

  • 描述:

    RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ 4TSFP

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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