首页>BFP720FESD>规格书详情
BFP720FESD分立半导体产品晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料
厂商型号 |
BFP720FESD |
参数属性 | BFP720FESD 封装/外壳为4-SMD,扁平引线;包装为托盘;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频;产品描述:RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ 4TSFP |
功能描述 | Robust Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor |
文件大小 |
1.63823 Mbytes |
页面数量 |
28 页 |
生产厂商 | Infineon Technologies AG |
企业简称 |
Infineon【英飞凌】 |
中文名称 | 英飞凌科技公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-5-29 17:46:00 |
BFP720FESD规格书详情
BFP720FESD属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频。英飞凌科技公司制造生产的BFP720FESD晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
产品属性
- 产品编号:
BFP720FESDH6327XTSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
托盘
- 晶体管类型:
NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
4.7V
- 频率 - 跃迁:
45GHz
- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):
0.5dB ~ 1.3dB @ 150MHz ~ 10GHz
- 增益:
10dB ~ 29dB
- 功率 - 最大值:
100mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
160 @ 15mA,3V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
30mA
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
4-SMD,扁平引线
- 供应商器件封装:
4-TSFP
- 描述:
RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ 4TSFP
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飞凌 |
23+ |
TSFP-4 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
TSFP4 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
Infineon |
2023 |
4800 |
公司原装现货/支持实单 |
询价 | |||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
TSFP-4 |
7188 |
秉承只做原装 终端我们可以提供技术支持 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
2021+ |
45000 |
十年专营原装现货,假一赔十 |
询价 | |||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
TSFP-4 |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
TSFP-4 |
6000 |
原装现货正品 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
2023+ |
TSFP-4 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
TSFP-4 |
6820 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
INFINEON-英飞凌 |
24+25+/26+27+ |
TSFP-4-1 |
9328 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
询价 |