BFP720FESD 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频 INFINEON/英飞凌

图片仅供参考，请参阅产品规格书

订购数量	价格
1+	面议

厂家型号：
BFP720FESD
产品分类：
芯片
生产厂商：
INFINEON/英飞凌
库存数量：
17857
产品封装：
NA
生产批号：
2021+
库存类型：
优势库存
更新时间：
2024-6-12 14:04:00

数据手册更多货源

详细信息
规格书下载

原厂料号：BFP720FESD品牌：INFINEON/英飞凌

原装进口假一罚十

BFP720FESD是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频。制造商INFINEON/英飞凌/Infineon Technologies生产封装NA/4-SMD，扁平引线的BFP720FESD晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

芯片型号：
BFP720FESD
规格书：
下载下载2
企业简称：
INFINEON【英飞凌】详情
厂商全称：
Infineon Technologies AG
中文名称：
英飞凌科技公司
内容页数：
28 页
文件大小：
1638.23 kb
资料说明：
Robust Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor

产品属性

类型
描述
产品编号：
BFP720FESDH6327XTSA1
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
托盘
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
4.7V
频率 - 跃迁：
45GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
0.5dB ~ 1.3dB @ 150MHz ~ 10GHz
增益：
10dB ~ 29dB
功率 - 最大值：
100mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
160 @ 15mA，3V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
30mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
4-SMD，扁平引线
供应商器件封装：
4-TSFP
描述：
RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ 4TSFP

供应商

企业：
深圳市英科美电子有限公司
商铺：
进入商铺
联系人：
张先生
手机：
15507502698
询价：
电话：
0755-23903058
传真：
0755-23905869
地址：
深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋730

BFP720FESD 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频 INFINEON/英飞凌

BFP720FESD

产品属性

供应商

相关型号

相近型号