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BFP640分立半导体产品晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

BFP640
厂商型号

BFP640

参数属性

BFP640 封装/外壳为4-SMD,扁平引线;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频;产品描述:RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ 4TSFP

功能描述

NPN Silicon Germanium RF Transistor
RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ 4TSFP

文件大小

154.94 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

Infineon英飞凌

中文名称

英飞凌科技公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-1 23:00:00

BFP640规格书详情

BFP640属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频。英飞凌科技公司制造生产的BFP640晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

产品属性

  • 产品编号:

    BFP640FE6327

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    4.5V

  • 频率 - 跃迁:

    40GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

  • 增益:

    23dB

  • 功率 - 最大值:

    200mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    110 @ 30mA,3V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    50mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    4-SMD,扁平引线

  • 供应商器件封装:

    4-TSFP

  • 描述:

    RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ 4TSFP

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
23+
标准封装
7098
原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。
询价
INFINEON/英飞凌
23+
NA/
7804
原装现货,当天可交货,原型号开票
询价
INFINEON
2016+
SOT343
9938
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
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2020+
SOT343
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
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Infineon
21+
SOT-343
35200
一级代理/放心采购
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INFINEON/英飞凌
23+
SOT343
100586
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费!
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INFINEON/英飞凌
22+
SOT-343
100000
代理渠道/只做原装/可含税
询价
INFINEON
1623
SOT143
370
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
Infineon
23+
SOT-343
3200
全新原装、诚信经营、公司现货销售
询价
Infineon/英飞凌
23+
20000
全新、原装、现货
询价