BFP620F分立半导体产品晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BFP620F |
| 参数属性 | BFP620F 封装/外壳为4-SMD，扁平引线；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频；产品描述：RF TRANS NPN 2.8V 65GHZ 4TSFP |
| 功能描述 | NPN Silicon Germanium RF Transistor |
| 文件大小 |
154.82 Kbytes |
| 页面数量 |
10 页 |
| 生产厂商 | Infineon Technologies AG |
| 企业简称 |
Infineon【英飞凌】 |
| 中文名称 | 英飞凌科技公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-15 12:13:00 |
BFP620F规格书详情
BFP620F属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频。英飞凌科技公司制造生产的BFP620F晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
产品属性
- 产品编号：
BFP620FH7764XTSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
2.8V
- 频率 - 跃迁：
65GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
- 增益：
21dB ~ 10dB
- 功率 - 最大值：
185mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
110 @ 50mA，1.5V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
80mA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
4-SMD，扁平引线
- 供应商器件封装：
4-TSFP
- 描述：
RF TRANS NPN 2.8V 65GHZ 4TSFP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
原厂封装 |
5177 |
现货 |
询价 | ||
INFINEON |
2022+ |
TSFP-4 |
57550 |
询价 | |||
INFINEON |
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Infineon/Infineon Technologies |
TSFP4 |
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INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TSFP-4 |
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询价 | ||
Infineon |
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