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BDY27

NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESA

NPNSILICONTRANSISTORS,DIFFUSEDMESA LFLargeSignalPowerAmplification HighCurrentFastSwitching

COMSET

Comset Semiconductor

BDY27

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=200V(Min.) •Collector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=0.6V(Max)@IC=2A •HighSwitchingSpeed APPLICATIONS •DesignedforLFsignalpoweamplifierapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

BDY27

NPN SILICON TRANSISTORS DIFFUSED MESA

[COMSETSEMICONDUCTORS] NPNSILICONTRANSISTORS,DIFFUSEDMESA LFLargeSignalPowerAmplification HighCurrentFastSwitching

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

BDY27

Bipolar NPN Device

SEME-LAB

Seme LAB

BDY27

NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESA.

COMSET

Comset Semiconductor

BDY27

Silicon NPN Power Transistor

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

BDY27AS

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3

SEME-LAB

Seme LAB

BDY27B

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3

SEME-LAB

Seme LAB

BDY27C

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3

SEME-LAB

Seme LAB

BDY27CX

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3

SEME-LAB

Seme LAB

晶体管资料

  • 型号:

    BDY27(A-C)

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    400V

  • 最大电流允许值:

    6A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    2

  • 可代换的型号:

    BDY98,BU210,BUY22,BUY77,3DK208D,

  • 最大耗散功率:

    85W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    E-44

  • vtest:

    400

  • htest:

    999900

  • atest:

    6

  • wtest:

    85

详细参数

  • 型号:

    BDY27

  • 制造商:

    SEME-LAB

  • 制造商全称:

    Seme LAB

  • 功能描述:

    Bipolar NPN Device

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更多BDY27供应商 更新时间2024-6-17 16:00:00